IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。

　　若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOS 截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极—发射极间施加十几V的直流电压，只有在u***的漏电流流过，基本上不消耗功率。

中频感应加热设备IGBT的主要优点有：

1.IGBT在正常工作时，导通电阻较低，增大了器件的电流容量。

2.IGBT的输出电流和跨导都大于相同尺寸的功率MOSFET。

2. 较宽的低掺杂漂移区（n-区）能够承受很高的电压，因而可以实现高耐压的器件。

3. IGBT利用栅极可以关断很大的漏极电流。

4. 与MOSFET一样，IGBT具有很大的输入电阻和较小的输入电容，则驱动功率低，开关速度高。

5.若把IGBT的p 漏极区分割为几个不同导电型号的区域（即再加进几个n 层），这就可以降低漏极p-n结对电子的阻挡作用，则还可进一步减小器件的导通电阻。